IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | CMPF4391 TR | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:50mA @ 20V 不同Id时的电压-截止（VGS关）:4V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 20V 电阻-RDS（开）:30 欧姆 功率:7/20W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPF5485 TR | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 电压-击穿（V（BR）GSS）:25V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:4mA @ 15V 漏极电流（Id）-最大值:30mA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:500mV @ 10nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5pF @ 15V 功率:7/20W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | MJE13009G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:3V @ 3A,12A 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 5A,5V 功率:2W 频率-跃迁:4MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:12A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | MMBT5401LT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V 频率 - 跃迁:300MHz 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V |
| 通用三极管 | MMBT489LT1G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):1A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:200mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 500mA,5V Power-Max:710mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | BT152-800R,127 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:32mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:13A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:20A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:1mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,220A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA208-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT139B-600,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT139-600,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT139-600E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT152B-400R,118 | WE EN | Voltage-OffState:450V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:32mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:13A Current-OnState(It(RMS))(Max):20A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:1mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,220A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT139-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT139X-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA204S-1000C,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:1000V(1KV) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,27A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BT169H/01U | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:3mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | BTA140-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:190A,209A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA225-600BT,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,220A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT169G,126 | WE EN | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BTA212B-800B,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT139X-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BT258S-800R,118 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:75A,82A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA208S-600D,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,72A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA208X-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA330-800BTQ | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:270A,297A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA416Y-800C,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,176A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | PHE13007,127 | WE EN | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 1A,5A 电流-集电极截止（最大值）:200µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A,5V 功率:80W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | Z0103MN,135 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | APTGLQ100A65T1G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:200A 功率:350W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,100A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP1 |
| 通用三极管 | MUN5215DW1T1G | ON(安森美) | FET类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | 2N6668 | Central(中央半导体) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:10A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 功率:65W 频率-跃迁:20MHz 封装/外壳:TO-220 |
| 通用三极管 | 2N4391 | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 电压-击穿（V（BR）GSS）:40V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:150mA @ 20V 漏极电流（Id）-最大值:100pA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:10V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 20V 电阻-RDS（开）:30 欧姆 功率:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N3417 APM | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 3mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA,4.5V 功率:1.5W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N3053A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 15mA,150mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 150mA,10V 功率:5W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N2223A | Central(中央半导体) | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.2V @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,5V 功率:3/5W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-78-6 |
| 通用三极管 | NJVMJD31CT4G-VF01 | ON(安森美) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):3A Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):100V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A,4V Power-Max:1.56W 频率-跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | NSV60601MZ4T3G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 600mA,6A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A,2V 功率:4/5W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | NSS40200UW6T1G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 20mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 1A,2V 功率:0.875W 频率-跃迁:140MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-WDFN 封装/外壳:WDFN-6 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V 电流放大倍数最小值hFE_Min:150 |
| 通用三极管 | SMUN5213T1G | ON(安森美) | FET类型:NPN - 预偏压 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA Power-Max:202mW 封装/外壳:SC-70-3(SOT323) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | TIP110G | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 8mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:2mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A,4V 功率:2W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | OPB365P55 | OPTEK | 感应距离:0.125"(3.18mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流-DC正向（If）:50mA 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:模块,预接线 FET类型:无放大 |
| 通用三极管 | OPB811L55 | OPTEK | 感应距离:0.375"(9.53mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流-DC正向（If）:50mA 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:PCB 安装 FET类型:无放大 |
| 通用三极管 | OPB830W11Z | OPTEK | 感应距离:0.125"(3.18mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流-DC正向（If）:50mA 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 工作温度:-40°C ~ 80°C 封装/外壳:模块,预接线 FET类型:无放大 |
| 通用三极管 | OPB857Z | OPTEK | 感应距离:0.150"(3.81mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流-DC正向（If）:50mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 工作温度:-40°C ~ 80°C 封装/外壳:模块,预接线 FET类型:无放大 |
| 通用三极管 | OPB870P55 | OPTEK | 感应距离:0.125"(3.18mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流-DC正向（If）:50mA 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:模块,预接线 FET类型:无放大 |
| 通用三极管 | BD244BTU | Fairchild(仙童) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 1A,6A 电流-集电极截止（最大值）:700µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 3A,4V 功率:65W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 封装/外壳:TO-220AB FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BC846AMTF | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA,5V 功率:0.31W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V |
| 通用三极管 | BC80740MTF | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA,1V 功率:0.31W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC557BTF | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/2W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC32740TA | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA,1V 功率:5/8W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BCV27 | Fairchild(仙童) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:1.2A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:7/20W 频率-跃迁:220MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电流放大倍数最小值hFE_Min:20000 |
| 通用三极管 | BCP56 | Fairchild(仙童) | Current-Collector(Ic)(Max):1.2A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V Power-Max:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223-4 封装/外壳:SOT-223(8R) FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1000mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V 电流放大倍数最小值hFE_Min:63 电流放大倍数最大值hFE_Max:250 |
| 通用三极管 | BC32725BU | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA,1V 功率:5/8W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC32740BU | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA,1V 功率:5/8W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC80740MTF | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA,1V 功率:0.31W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | DTA023YEBTL | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA,5mA 频率 - 跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:SC-89,SOT-490 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V |
| 通用三极管 | BC550CTA | Fairchild(仙童) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V Power-Max:500mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC846BMTF | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.31W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V |
| 通用三极管 | BD13916STU | Fairchild(仙童) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V Power-Max:1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BCW66G | Fairchild(仙童) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):1A Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):45V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA,1V Power-Max:350mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用三极管 | BD676AS | Fairchild(仙童) | FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A,3V 功率:14W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | FAM65V05DF1 | Fairchild(仙童) | 系列:Power-SPM™ 配置:三相 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50A 功率:333W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.65V @ 15V,50A 电流-集电极截止（最大值）:3µA 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:27-DIP 模块(44x26.8) |
| 通用三极管 | DTA023YMT2L | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA,5mA 频率 - 跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:SOT-723 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V |
| 通用三极管 | 2N2905A | Microsemi(美高森美) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:3/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N6212 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/461 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:2A 电压-集射极击穿（最大值）:300V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 125mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:5mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1A,5V 功率:3W 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-66(TO-213AA) |
| 通用三极管 | 2N2222AUB | Microsemi(美高森美) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD |
| 通用三极管 | 2N3440 | Microsemi(美高森美) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:250V 电流-集电极截止（最大值）:20µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA,10V 频率-跃迁:15MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N3791 | Microsemi(美高森美) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:10A 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 500mA,5A 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1A,2V 功率:150W 频率-跃迁:4MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-3 |
| 通用三极管 | APTGL90A120T1G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:110A 功率:385W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.25V @ 15V,75A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP1 |
| 通用三极管 | APTGL240TL120G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:三级反相器 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:305A 功率:1000W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,200A 电流-集电极截止（最大值）:2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP6 |
| 通用三极管 | JANS2N2222AUB | Microsemi(美高森美) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD |
| 通用三极管 | JAN2N2222A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/255 FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-218 |
| 通用三极管 | JANTX2N3700 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/391 FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) |
| 通用三极管 | JANTX2N3867 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/350 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA,2.5A 电流-集电极截止（最大值）:100µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1.5A,2V 功率:1W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-5 |
| 通用三极管 | JANTX2N2907AUB | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/291 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:UB |
| 通用三极管 | DTA023YUBTL | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA,5mA 频率 - 跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SC-85 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V |
| 通用三极管 | DMG264040R | Panasonic(松下) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:3/10W 封装/外壳:迷你型6-G4-B 封装/外壳:Mini6-G4-B FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DMG264010R | Panasonic(松下) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:3/10W 封装/外壳:迷你型6-G4-B 封装/外壳:Mini6-G4-B FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DMC204020R | Panasonic(松下) | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 30mA,300mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 150mA,10V 功率:3/10W 频率-跃迁:160MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:迷你型6-G4-B 封装/外壳:Mini6-G4-B FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | 2N5115 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:60mA @ 15V 不同Id时的电压-截止（VGS关）:6V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 15V 电阻-RDS（开）:100 欧姆 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) |
| 通用三极管 | CS22-08IO1M | IXYS | 电压-断态:800V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.3V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:300A,325A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 通用三极管 | 2N2907AUB | Microsemi(美高森美) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:UB |
| 通用三极管 | 2N2222A | Microsemi(美高森美) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | APTGL475U120D4G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:610A 功率:2082W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,400A 电流-集电极截止（最大值）:4mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D4 |
| 通用三极管 | APTGT600A60G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:700A 功率:2300W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,600A 电流-集电极截止（最大值）:750µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:49nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP6 |
| 通用三极管 | APTGLQ75H65T1G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:150A 功率:250W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,75A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP1 |
| 通用三极管 | JANTXV2N6353 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/472 FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA,5A 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A,5V 功率:2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-66(TO-213AA) 封装/外壳:TO-213AA FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |
| 通用三极管 | JAN2N720A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/182 FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:5V @ 15mA,150mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) |
| 通用三极管 | JANTX2N2907A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/291 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-206AA(TO-18) |
| 通用三极管 | JANTX2N2920 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/355 FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 100µA,1mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1mA,5V 功率:7/20W 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:TO-78-6 |
| 通用三极管 | JANTXV2N6989 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/559 FET类型:4 NPN(四路) 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1.5W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:14-DIP 封装/外壳:TO-116 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | JANTX2N4029 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/512 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,5V 功率:1/2W 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | JANTX2N2920 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/355 FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 100µA,1mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1mA,5V 功率:7/20W 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:TO-78-6 |
| 通用三极管 | CMKT5088 TR | Central(中央半导体) | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100µA,5V 功率:7/20W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 |
| 通用三极管 | BCP56-16-AU_R2_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-223 通道数:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 直流电流增益hFE:2 特征频率fT:100MHz FET类型:NPN |
| 通用三极管 | LBC856AWT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC70 功率:3/20W |
| 通用三极管 | MMBT5401-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:-150V 直流电流增益hFE:-10 特征频率fT:100MHz FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | LMUN2114LT1G | LRC(乐山无线电) | Ic(mA):100 VCEO(V):50 hFEMin:80 R1(KΩ):10 R2(KΩ):47 FET类型:P-Channel 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用三极管 | LSI1012N3T5G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:.45 Rds On(Max)@Id,Vgs:700 @VGS(V)/IDS(A):4.5/0.6 FET类型:N-Channel(ESD) 封装/外壳:SOT883 功率:1/4W |
| 通用三极管 | S-LMUN2233LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用三极管 | LMUN2232LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT-23 Ic(mA):100 VCEO(V):50 hFEMin:15 R1(KΩ):4.7 R2(KΩ):4.7 FET类型:NPN |