IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | PVA1352NPBF | Infineon(英飞凌) | 输出类型:AC,DC 电压 - 输入:1.2VDC 电压 - 负载:0V ~ 100V 负载电流:375mA 端子类型:PC 引脚 系列:PVA,HEXFET® 电路:SPST-NO(1 A 形) 导通电阻（最大值）:5 欧姆 电压-输入:1.2VDC 电压-负载:0 ~ 100 V 继电器类型:继电器 封装/外壳:8-dip 改进型 |
| 通用三极管 | PZTA92,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1200mW 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:40 集电极-发射极最大电压VCEO:-300V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | PZTA92 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | PZTA44,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率耗散Pd:1350mW 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:50,200 集电极-发射极最大电压VCEO:400V 集电极连续电流:300A |
| 通用三极管 | PZTA42,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率耗散Pd:1200mW 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:40 集电极-发射极最大电压VCEO:300V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PZTA42 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | PZT2907A,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:P-Channel 关断时间Toff:365ns 功率:1.15W 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:100,300 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-600A |
| 通用三极管 | PZT2907A | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | PZT2222A,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 关断时间Toff:250ns 功率:1.15W 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:100,300 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:600A |
| 通用三极管 | PXT4401,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 关断时间Toff:250ns 功率:1.1W 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:300,100 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:600A |
| 通用三极管 | PXT2907A,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 关断时间Toff:365ns 功率:1.1W 特征频率fT:200MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:100,300 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-600A |
| 通用三极管 | PXT2222A,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 关断时间Toff:250ns 功率:1.1W 特征频率fT:300MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:300,100 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:600A |
| 通用三极管 | PUMZ2,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:120,560 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-150A |
| 通用三极管 | PUMZ1,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:120 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMX1,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:120 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMT1,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:120 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | PUMH9,135 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH9,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH7,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH4,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH20,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:2.2KOhms 电阻器-基底:2.2KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH2,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:47KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH18,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:10K Ohms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH17,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:22K Ohms 电阻器-基底:47KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH15,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:4.7KOhms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH13,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH11,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:10K Ohms 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH10,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:2.2KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMH1,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN/NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:22K Ohms 电阻器-基底:22K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD9,165 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD9,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD48,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:47KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD4,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD3,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:10K Ohms 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD24,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:100KOhms 电阻器-基底:100KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD2,165 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:22K Ohms 电阻器-基底:22K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD2,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:22K Ohms 电阻器-基底:22K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD2,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:22K Ohms 电阻器-基底:22K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD18,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:10K Ohms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD17,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:22K Ohms 电阻器-基底:47KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD16,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:22K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD15,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:TSSOP FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:4.7KOhms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD13,135 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD13,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD12,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:47KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMD10,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:2.2KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMB4,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:PNP/PNP 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMB2,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:PNP/PNP 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:47KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | STR1550 | ST(意法半导体) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 6mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA,10V 功率:1/2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:500V |
| 通用三极管 | PZTA42 | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA,10V 功率:1W 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223-4 |
| 通用三极管 | PZTA14 | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:125MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223-4 |
| 通用三极管 | PZT651T1G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 1A,2V Power-Max:800mW 频率-跃迁:75MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | PUMB18,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:PNP/PNP 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:10K Ohms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMB15,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:PNP/PNP 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:4.7KOhms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMB13,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:PNP/PNP 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMB11,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:PNP/PNP 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:10K Ohms 电阻器-基底:10K Ohms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | PUMB10,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:PNP/PNP 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:47KOhms 电阻器-基底:2.2KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | ACT102H-600D,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):200mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:900mV 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.8A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 通用三极管 | ACT108-600E,126 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.8A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BT139-600E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | ACTT6B-800E,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:51A,56A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT149D,112 | WE EN | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BT149G,126 | WE EN | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | MJ11033G | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA,50A 电流-集电极截止（最大值）:2mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 25A,5V 功率:300W 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-3 封装/外壳:TO-204 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:50A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V |
| 通用三极管 | BT151-800R,127 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:15mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:7.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,132A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT151X-500R,127 | WE EN | 电压-断态:500V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:15mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:7.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,132A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220-3 |
| 通用三极管 | BT258S-800R,118 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:75A,82A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | MJ15002G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 400mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 4A,2V 功率:200W 频率-跃迁:2MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 封装/外壳:TO-3 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:140V |
| 通用三极管 | MJE350G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电流-集电极截止（最大值）:100µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA,10V 功率:20W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:300V |
| 通用三极管 | APT25GLQ120JCU2 | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:45A 功率:170W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,25A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:SOT-227 |
| 通用三极管 | APT150GN60J | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:220A 功率:536W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,150A 电流-集电极截止（最大值）:25µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® |
| 通用三极管 | BTA208X-1000C0,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:1000V(1KV) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA212X-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA208S-600B,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA212-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA416Y-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,176A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA208X-600E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,72A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA416Y-800B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,176A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA216-600F,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:140A,150A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:30mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | OT413,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:140A,153A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | Z0103MN,135 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | MMBT4401LT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:750mV @ 50mA,500mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,1V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | MMBT4403LT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:750mV @ 50mA,500mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:3/10W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | APTGLQ600A65T6G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:1200A 功率:2000W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,600A 电流-集电极截止（最大值）:600µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:36.6nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP6 |
| 通用三极管 | APTGT200TL60G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:三级反相器 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:300A 功率:652W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,200A 电流-集电极截止（最大值）:350µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:12.2nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP6 |
| 通用三极管 | APTGLQ40H120T1G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 功率:250W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,40A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP1 |
| 通用三极管 | APTMC120HRM40CT3G | Microsemi(美高森美) | FET类型:2 N 沟道(相脚 + 双共发射极) 电压:1200V 封装/外壳:SP3 |
| 通用三极管 | APTGLQ40H120T1G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 功率:250W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,40A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP1 |
| 通用三极管 | JAN2N3019 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/391 FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500mA,10V 功率:4/5W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | JAN2N2907A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/291 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) |
| 通用三极管 | JANTX2N2484 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/376 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 100µA,1mA 电流-集电极截止（最大值）:2nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:225 @ 10mA,5V 功率:0.36W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 封装/外壳:TO-18 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.05A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | JANTX2N2222A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/255 FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-218 |
| 通用三极管 | JANTX2N2907A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/291 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-206AA(TO-18) |
| 通用三极管 | JANTX2N2907AUB | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/291 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:UB |
| 通用三极管 | T1035H-6G-TR | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:10A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A,105A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | T3050H-6G-TR | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:270A,284A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | T405Q-600B-TR | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:35A,38A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D-Pak 系列:T405Q-600 标准包装数量:2500 非重复通态电流:38 A 重复关断状态的额定电压VDRM:600 V 关断状态泄露电流@ VDRM IDRM:5 uA 关断状态电压:1.5 V 保持电流 Ih 最大:10 mA |
| 通用三极管 | T2550-12G-TR | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:1.2KV 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:240A,252A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | T1210T-6I | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:90A,95A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | T810T-8T | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |