IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | BT152-800R,127 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:32mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:13A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:20A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:1mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,220A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | BT138-800G,127-CUT TAPE | WE EN | |
| 通用三极管 | BTA208-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYC30X-600P,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.8V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:175°C(最大) |
| 通用三极管 | BT139B-600,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT139-600,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT139-600E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT152B-400R,118 | WE EN | Voltage-OffState:450V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:32mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:13A Current-OnState(It(RMS))(Max):20A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:1mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,220A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT139-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT139X-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA204S-1000C,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:1000V(1KV) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,27A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BT169H/01U | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:3mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | BTA140-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:190A,209A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA225-600BT,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,220A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT169G,126 | WE EN | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BTA212B-800B,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT139X-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BT258S-800R,118 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:75A,82A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA208S-600D,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,72A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA208X-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA330-800BTQ | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:270A,297A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA416Y-800C,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,176A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYV10X-600PQ | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:2V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | BYQ28E-200,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYV29X-500,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:500V 正向电流If:9A 正向电压Vf:1.25V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 500V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV29X-500,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:500V 正向电流If:9A 正向电压Vf:1.25V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 500V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV32EB-200,118 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.15V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:30µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | PHE13007,127 | WE EN | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 1A,5A 电流-集电极截止（最大值）:200µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A,5V 功率:80W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 整流二极管 | BYW29E-150,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 150V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 通用三极管 | Z0103MN,135 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 整流二极管 | BYV34-400,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.35V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 400V 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYW29E-200,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 通用三极管 | BT132-600D,412 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,17.6A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BT136S-600,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,27A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BT137-600D,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | ACT102H-600D,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):200mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:900mV 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.8A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 通用三极管 | BT136-600D,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,27A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT137B-600F,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT137B-800F,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT137-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT137X-600D,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BT139B-600E,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT168GWF,115 | WE EN | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:450µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:630mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | BT138-800,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:30mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT258-800R,127 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:75A,82A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT148-400R,127 | WE EN | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:35A,38A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-82-3 |
| 通用三极管 | BT258-600R,127 | WE EN | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:75A,82A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT169H,412 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:3mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BTA140-600,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:190A,209A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA201-600E,112 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:12.5A,13.7A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:12mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BTA204-800E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,27A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:12mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT169B,126 | WE EN | 电压-断态:200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BTA204S-600E,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,27A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:12mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA208-600E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,72A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA204X-600F,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,27A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA312-800C,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA225-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:190A,209A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYR29X-800,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10µA @ 800V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 通用三极管 | BTA212B-800E,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 整流二极管 | BYC10DX-600,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:500V 正向电流If:10A 正向电压Vf:2.5V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:18ns 反向漏电流Ir:200µA @ 600V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 通用三极管 | BTA208X-800F,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,72A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:30mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 整流二极管 | BYV34-600,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.48V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 600V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA208S-600B,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 整流二极管 | BYQ28X-200,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 整流二极管 | NXPSC06650Q | WE EN | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1.7V @ 6A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:200µA @ 650V 结电容Cj:190pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV10ED-600PJ | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:2V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV29-400,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:9A 正向电压Vf:1.25V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 400V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 通用三极管 | Z0103NN,135 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 整流二极管 | BYV42E-200,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.2V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:28ns 反向漏电流Ir:100µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | EC103D1WX | WE EN | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:12µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.35V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SC-73 |
| 整流二极管 | NXPS20H100C,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:770mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | Z0109NA,116 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | ACT102H-600D,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):200mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:900mV 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.8A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 通用三极管 | ACT108-600E,126 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.8A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 未分类 | BT134-600G,127-CUT TAPE | WE EN | |
| 通用三极管 | BT139-600E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:155A,170A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | BT139B-600E,118-CUT TAPE | WE EN | |
| 通用三极管 | ACTT6B-800E,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:51A,56A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | BT149D,112 | WE EN | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BT149G,126 | WE EN | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:100µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,9A SCR类型:灵敏栅极 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | BT151-800R,127 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:15mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:7.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,132A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BT151X-500R,127 | WE EN | 电压-断态:500V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:15mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.75V 电流-通态（It（AV））（最大值）:7.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,132A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220-3 |
| 通用三极管 | BT258S-800R,118 | WE EN | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:500µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:75A,82A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA208X-1000C0,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:1000V(1KV) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA212X-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA208S-600B,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:DPAK |
| 通用三极管 | BTA212-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:95A,105A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA416Y-600B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,176A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA208X-600E,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,72A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BTA416Y-800B,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,176A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA216-600F,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:140A,150A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:30mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYV29X-600,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:9A 正向电压Vf:1.26V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 600V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYT79-600,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.38V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 600V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 通用三极管 | OT413,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:140A,153A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYV32E-200,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.15V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:30µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYV32E-200,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.15V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:30µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | Z0103MN,135 | WE EN | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 整流二极管 | BYW29E-200,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 通用三极管 | BT137X-600,127 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
| 通用三极管 | BT137B-600F,118 | WE EN | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:65A,71A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |