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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | CMPSH1-4TR | Central(中央半导体) | If 条件下正向电压:0.55V 二极管类型:肖特基整流 关闭状态最大电压:40V 加载电流:1A 包装类型:卷 包装类型:胶带 安装:SMD 封装/外壳:SOT23F 最大加载电流:12A |
| 整流二极管 | CMMR1U-02 TR | Central(中央半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:1uA@200V 结电容Cj:9pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SOD-123F 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 未分类 | CMMR1-10TR | Central(中央半导体) | If 条件下正向电压:1.1V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:1KV 加载电流:1A 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:50ns 安装:SMD 封装/外壳:SOD123F 最大正向脉冲电流:30A |
| 未分类 | CMDSH-3TR | Central(中央半导体) | 正向电压下降:0.8 V 正向连续电流:0.1 A 配置:Single 封装/外壳:SOD-323 峰值反向电压:30 V 工作温度:- 65 C to + 150 C 最大反向漏泄电流:1 uA at 25 V 最大浪涌电流:0.75 A If 条件下正向电压:0.8V 二极管类型:肖特基整流 关闭状态最大电压:30V 加载电流:100mA 安装:SMD 封装/外壳:SOD323 最大加载电流:750mA |
| 通用MOSFET | CEDM7001 TR | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.57nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9pF @ 3V 栅极电压Vgs:10V Pd-功率耗散(Max):100mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3 Ohms@10mA,4V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-101,SOT-883 |
| 未分类 | CMOTVS5V7 TR | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMF170A TR | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2SC1815 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA,6V 功率:2/5W 频率 - 跃迁:80MHz |
| 通用三极管 | 2N5322 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:2A 电压-集射极击穿（最大值）:75V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA,4V 功率:10W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N2907A | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:2/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N2905A | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:3/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N2369A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压-集射极击穿（最大值）:15V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:400nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA,350mV 功率:0.36W 频率-跃迁:500MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N2222A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 未分类 | 2N2219 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:4/5W 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 封装/外壳:TO-39 |
| 未分类 | CMPESD24CA TR | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | 2N2907A | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:2/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 未分类 | CS18B | Central(中央半导体) | |
| 整流二极管 | CMPZ5248B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:18V 偏差:±5% 功率耗散Pd:350mW 齐纳阻抗Zz:21 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@14V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPT3904G TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):200mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,50mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,1V Power-Max:350mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 未分类 | CMLSH05-4 TR | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMLDM8120 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:860mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.56nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:200pF @ 16V 功率:150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150 毫欧 @ 950mA,4.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 |
| 未分类 | CZT3904 TR LEAD FREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | BCX53-16 TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMPZ4705 TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N4393 PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMSH2-100 TR13 PBFRE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CFSH2-3L | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CCLH080 TR | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMHZ5244B | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMHZ5229B TR | Central(中央半导体) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:150°C 封装/外壳:SOD-123 封装/外壳:SOD-123 |
| 未分类 | CZT127 TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CZT127 BK PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMZ5928B TR13 PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMSH5-100 TR13 PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMHZ4694 TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CBR1-D100S TR13 PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMHD459A TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 整流二极管 | CMSH1-20 TR13 | Central(中央半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@1A 结电容Cj:110pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMB 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 未分类 | CMR2-10 TR13 PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 整流二极管 | CMR1U-13M TR13 | Central(中央半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:1300V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.9V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@1300V 结电容Cj:6pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 未分类 | CMMSH1-40L TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | BAS56 | Central(中央半导体) | |
| 整流二极管 | CMSD6001S TR | Central(中央半导体) | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:250mA(DC) 正向电压Vf:1.1V@100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:3µs 反向漏电流Ir:500pA@75V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-323 |
| 未分类 | CMPZ5245B | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CLL4742A TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 通用MOSFET | CMUDM8004 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:450mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.88nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V 栅极电压Vgs:8V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1Ω@430mA,4.5V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 |
| 未分类 | CMR2-04 TR13 PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CLL4747A | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 1N5307 TR PBFREE | Central(中央半导体) | |
| 通用MOSFET | CMPDM302PH TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.6nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 10V 栅极电压Vgs:12V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:91m Ohms@1.2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 |
| 通用三极管 | CMPTA42E TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):350V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:250nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 30mA,10V Power-Max:350mW 频率-跃迁:75MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 未分类 | 2N4405 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N3503 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | 2N3905 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电压-集射极击穿（最大值）:40V 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,1V 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 未分类 | 2N3114 | Central(中央半导体) | 封装/外壳:TO-39 FET类型:NPN 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |
| 未分类 | 2N5770 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | CMPT5401 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):150V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:350mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 未分类 | PN918 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N3108 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | 2N5322 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:2A 电压-集射极击穿（最大值）:75V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA,4V 功率:10W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 未分类 | 2N2243A | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N4032 | Central(中央半导体) | 封装/外壳:TO-39 120:直流电最大增益hFE 系列:2N4032 40:直流集电极/增益 hfe 最小值 标准包装数量:500 配置:Single FET类型:P-Channel 集电极-基极电压VCBO:60 V 发射机-基极电压VEBO:- 5 V 100 MHz:增益带宽积 fT |
| 未分类 | 2N4234 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N4238 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | 2N5087 | Central(中央半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100µA,5V 功率:5/8W 频率-跃迁:40MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:50mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流放大倍数最小值hFE_Min:250 电流放大倍数最大值hFE_Max:800 |
| 未分类 | 2N2405 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | 2N4427 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:20V 频率-跃迁:500MHz 增益:10dB 功率:1W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 100mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 未分类 | MPSA55 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | PN3565 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CEN-U07 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N1613 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CEN-U57 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | 2N2904A | Central(中央半导体) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 150mA,10V 功率:3/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 封装/外壳:TO-39 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | 2N4033 | Central(中央半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,5V 功率:1.25W 频率-跃迁:400MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 封装/外壳:TO-39 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 未分类 | 2N4237 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N1893 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | CEN-U45 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 2mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25000 @ 200mA,5V 功率:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-202 长接片 封装/外壳:TO-202 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | CM5160 | Central(中央半导体) | 频率-跃迁:500MHz 功率:1W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 50mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 封装/外壳:TO-39 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 未分类 | 2N3392 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CTLT3410-M621 TR | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N3301 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N2102 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | 2N3705 | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | D40K2 | Central(中央半导体) | 封装/外壳:TO-202 系列:D40K2 连续集电极电流:2 A 1000:直流集电极/增益 hfe 最小值 最大功率消耗:10 W 最低工作温度:- 65 C 标准包装数量:500 配置:Single FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50 V 发射机-基极电压VEBO:13 V 集电极-发射极饱和电压:2.5 V 75 MHz:增益带宽积 fT 最高工作温度:+ 150 C |
| CMPZ4625 TR | Central(中央半导体) | ||
| CMPTA29 TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN - 达林顿 Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):100V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V Power-Max:350mW 频率-跃迁:125MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 | |
| MPQ2484 | Central(中央半导体) | ||
| 2N3391A | Central(中央半导体) | ||
| 2N2857 | Central(中央半导体) | ||
| 2N6123 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:4A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.4V @ 1A,4A 电流-集电极截止（最大值）:1mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1.5A,2V 功率:40W 频率-跃迁:2.5MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 | |
| MPQ2907A | Central(中央半导体) | FET类型:4 PNP(四路) 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 30mA,300mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 300mA,10V 功率:13/20W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-116 | |
| MPSA20 | Central(中央半导体) | ||
| TIP29 | Central(中央半导体) | ||
| 2N5680 | Central(中央半导体) | ||
| 2N5884 | Central(中央半导体) | ||
| 2N3741A | Central(中央半导体) | ||
| MPQ3725A | Central(中央半导体) | ||
| CMHZ5225B TR | Central(中央半导体) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:150°C 封装/外壳:SOD-123 封装/外壳:SOD-123 | |
| MPSA56 | Central(中央半导体) | ||
| MPQ2222A | Central(中央半导体) |