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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | CS18B | Central(中央半导体) | |
| 整流二极管 | CMPZ5248B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:18V 偏差:±5% 功率耗散Pd:350mW 齐纳阻抗Zz:21 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@14V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPT3904G TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):200mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,50mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,1V Power-Max:350mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 未分类 | CMLSH05-4 TR | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | CMLDM8120 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:860mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.56nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:200pF @ 16V 功率:150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150 毫欧 @ 950mA,4.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 |
| 未分类 | CZT3904 TR LEAD FREE | Central(中央半导体) | |
| 未分类 | BCX53-16 TR PBFREE | Central(中央半导体) |