IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 音频放大器 | PAM8124RHR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:18W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 26 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TSSOP |
| 音频放大器 | PAM8004DR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:2.5W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 音频放大器 | PAM8013AKR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:9-uFLGA PSRR - 电源抑制比:-68dB THD + 噪声:0.17% 关闭:Shutdown 增益:18dB 工作电源电压:5V 工作电源电流(mA):5mA 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.8V 系列:PAM8013 输出功率:3W 通道数量:1Channel 音频 - 负载阻抗:4Ohms |
| 运算放大器 | LMV324TSG-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:340µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 音频放大器 | PAM8302AASCR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:2.5W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP PSRR - 电源抑制比:50dB THD + 噪声:0.45 % 关闭:Shutdown 工作电源电压:5.5V 工作电源电流(mA):4mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2 V 电源类型:Single 系列:PAM8302 输出功率:2.5 W 通道数量:1Channel 音频 - 负载阻抗:4 Ohms |
| 音频放大器 | PAM8320RDR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:20W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 音频放大器 | PAM8904JER | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 |
| 运算放大器 | LM2904DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 运算放大器 | LM258DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电流 - 输入偏置:45nA 电压 - 输入失调:2mV 电流 - 电源:1.5mA 电流 - 输出/通道:40mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V |
| 运算放大器 | LM358DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 运算放大器 | LMV324TSG-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:340µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 运算放大器 | LMV321SEG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:110µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-353 |
| 模拟比较器 | LMV393S-13 | Diodes(达尔（美台）) | 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 音频放大器 | PAM8403DR | Diodes(达尔（美台）) | PSRR - 电源抑制比:-59dB THD + 噪声:0.15 % 关闭:Shutdown 封装/外壳:SOP-16 工作电源电压:2.5Vto5.5V 工作电源电流(mA):16mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.5 V 系列:PAM8403 输出功率:3 W 通道数量:2Channel 音频 - 负载阻抗:4 Ohms 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 音频放大器 | IR4301MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:160W x 1 @ 4 欧姆 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 不同负载时的最大输出功率x通道数:160W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 15 V |
| 音频放大器 | PAM8004DR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:2.5W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 音频放大器 | PAM8610TR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:10W x 2 @ 8 欧姆 电压-电源:7 V ~ 15 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:40-WFQFN裸露焊盘 |
| 音频放大器 | PAM8904JER | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 |
| 音频放大器 | PAM8304ASR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP |
| 通用放大器 | BA4560FVT-GE2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:50nA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:4mA 电流 - 输出/通道:25mA 电压 - 电源，单/双（±）:8 V ~ 30 V,±4 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP 电路数:2 压摆率:4 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| 通用放大器 | LMR358FVT-GE2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:15nA 电压 - 输入失调:100µV 电流 - 电源:210µA 电流 - 输出/通道:60mA 电压 - 电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP 电路数:2 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:3MHz |
| 模拟比较器 | AP331AWG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT-25 |
| 运算放大器 | AP4306AKTR-AG1 | Diodes(达尔（美台）) | |
| 音频放大器 | IRS2092STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-16 FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 18 V |
| 运算放大器 | AP358SG-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | APX4558S-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 压摆率:1.7 V/µs 增益带宽积:3MHz 电流-输入偏置:150nA 电压-输入失调:500µV 电流-电源:2.5mA 电压-电源，单/双（±）:±5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | AS358MMTR-G1 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | AS358MTR-E1 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 模拟比较器 | LMV393S-13 | Diodes(达尔（美台）) | 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | APX321WG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:110µA Current-Output/Channel:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-25 |
| 运算放大器 | AS358MTR-E1 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 运算放大器 | AZ4558CMTR-G1 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 压摆率:1.8 V/µs 增益带宽积:5.5MHz 电流-输入偏置:70nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:2.5mA 电流-输出/通道:60mA 电压-电源，单/双（±）:±2 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC CMRR - 共模抑制比:95 dB GBP-增益带宽产品:5.5 MHz Ib - 输入偏流:70 nA Ios - 输入偏置电流:10nA PSRR - 电源抑制比:100dB SR - 转换速率:1.8 V/us THD + 噪声:0.002% Vcm - 共模电压:-12Vto12V Vos - 输入偏置电压:1 mV en - 输入电压噪声密度:10nV/sqrtHz 关闭:No Shutdown 工作电源电流(mA):2.5 mA 拓扑结构:Dual 放大器类型:GeneralPurposeAmplifier 每个通道的输出电流:35 mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:2 V 输出类型:RailtoRail 通道数量:2 Channel |
| 模拟比较器 | LMV331SE-7 | Diodes(达尔（美台）) | 元件数:1 Ohms 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:120µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-353 |
| 模拟比较器 | LMV393S-13 | Diodes(达尔（美台）) | 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LMV358SG-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:190µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP CMRR - 共模抑制比:50 dB GBP-增益带宽产品:1 MHz Ib - 输入偏流:250 nA SR - 转换速率:1 V/us Vos - 输入偏置电压:7 mV 关闭:No Shutdown 工作电源电压:2.7Vto5.5V 工作电源电流(mA):190 uA 每个通道的输出电流:90 mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 电源类型:Single 系列:LMV358 通道数量:2 Channel |
| 音频放大器 | PAM8303DBSC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP |
| 音频放大器 | IRAUDAMP7S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:-- 放大器类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:500W x 1 @ 8 欧姆;250W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:±45 V ~ 60 V 板类型:完全填充 使用的 IC/零件:IRFI4019H,IRS2092 所含物品:板 不同负载时的最大输出功率x通道数:500W x 1 @ 8 欧姆;250W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:±45 V ~ 60 V 使用的IC/零件:IRFI4019H,IRS2092 RoHS compliant:yes Configuration:IRS2092SPBF Product Name:Evaluation Board IRAUDAMP7S Applications:Audio |
| 音频放大器 | IRAUDAMP12 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:-- 放大器类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:130W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:±15 V ~ 31 V 板类型:完全填充 使用的 IC/零件:IR4301 所含物品:板 不同负载时的最大输出功率x通道数:130W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:±15 V ~ 31 V 使用的IC/零件:IR4301 RoHS compliant:yes Configuration:IR4301M Input Type:Split Product Name:Evaluation Board IRAUDAMP12 Applications:Audio |
| 模拟比较器 | LMV331SE-7 | Diodes(达尔（美台）) | 元件数:1 Ohms 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:120µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-353 |
| 运算放大器 | LM2904S-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:700kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:2mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO CMRR - 共模抑制比:70 dB GBP-增益带宽产品:0.7 MHz Ib - 输入偏流:20 nA Ios - 输入偏置电流:2nA PSRR - 电源抑制比:100dB SR - 转换速率:0.3 V/us Vcm - 共模电压:0Vto34.5V Vos - 输入偏置电压:2 mV en - 输入电压噪声密度:40nV/sqrtHz 关闭:No Shutdown 增益V/V:100V/mV 工作电源电流(mA):700 uA 拓扑结构:Dual 放大器类型:GeneralPurposeAmplifier 最大双重电源电压:±18V 最小双重电源电压:±1.5V 每个通道的输出电流:40 mA 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:3 V 系列:LM2904 通道数量:2 Channel |
| 音频放大器 | PAM8007NHR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3.1W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-SSOP |
| 音频放大器 | PAM8908JER | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:AB 类 输出类型:2-通道(立体声)带立体声耳机 不同负载时的最大输出功率x通道数:35mW x 2 @ 16 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 |
| 音频放大器 | IR4312MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN 7X7 44L FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:35W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 不同负载时的最大输出功率x通道数:35W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 15 V |
| 运算放大器 | BA2904SFVM-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:30mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | BA4580RFVM-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:5 V/µs 增益带宽积:5MHz 电流-输入偏置:100nA 电压-输入失调:300µV 电流-电源:6mA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:4 V ~ 32 V,±2 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 音频放大器 | BA3121F-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:AB 类 输出类型:2 通道(立体声) 电压-电源:4 V ~ 18 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC CMRR - 共模抑制比:57dB PSRR - 电源抑制比:80dB 功率:0.45W SR - 转换速率:2V/us THD + 噪声:0.002 % 增益:-0.04dB 宽度:4.4mm 工作电源电压:12V 工作电源电流(mA):9mA 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:4 V 系列:BA3121 通道数量:2Channel 长度:5mm 音频 - 负载阻抗:55 kOhms 高度:1.50mm |
| 运算放大器 | BU7442SFVM-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:100µA 电流-输出/通道:10mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 音频放大器 | IRS2452AM | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-VQFN-32 FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 电压 - 电源:12V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) RoHS compliant:yes Technology:HVIC Channels:2.0 Output Current (Source):500.0mA Budgetary Price €/1k:4.25 Output Current (Sink):600.0mA Supply Voltage:400.0V VCC min max:10.0V 15.0V |
| 音频放大器 | IRS2092STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-16 FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 18 V |
| 音频放大器 | IRS2093MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-VQFN-48 FET类型:D 类 输出类型:4-通道(四路) 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 15 V |
| 音频放大器 | IRS20957STRPBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:PG-DSO-16 |
| 音频放大器 | IRS20752LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |