IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用放大器 | LMR341G-GTR | ROHM(罗姆) | 放大器类型:CMOS 电路数:1 Ohms 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:2MHz 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:250µV 电流 - 电源:80µA 电流 - 输出/通道:45mA 电压 - 电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 运算放大器 | LM358DT | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 模拟比较器 | LM358DR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C~85°C 电压-供电,单/双?(±):3V ~ 32V,±1.5V ~ 16V 电路数:2 电流-供电:600?A 封装/外壳:8-SOIC 增益带宽积:700kHz 电流-输出/通道:40mA 压摆率:0.3V/?s 电压-输入补偿:1mV 电流-输入偏置:20nA |
| 通用放大器 | BD7561SG-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:440µA 电流 - 输出/通道:1mA 电压 - 电源，单/双（±）:5 V ~ 14.5 V,±2.5 V ~ 7.25 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 |
| 通用放大器 | BD7561G-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:440µA 电流 - 输出/通道:1mA 电压 - 电源，单/双（±）:5 V ~ 14.5 V,±2.5 V ~ 7.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 |
| 通用放大器 | BD7541SG-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:180µA 电流 - 输出/通道:1mA 电压 - 电源，单/双（±）:5 V ~ 14.5 V,±2.5 V ~ 7.25 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 |
| 通用放大器 | BD7541G-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:180µA 电流 - 输出/通道:1mA 电压 - 电源，单/双（±）:5 V ~ 14.5 V,±2.5 V ~ 7.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 |
| 音频放大器 | BD3812F-E2 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:14-SOIC 功能:音频信号处理器 通道数:2 接口:串行 电压 - 电源:5 V ~ 7.3 V 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA) |
| 通用放大器 | BA4580RFVT-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:4 V/µs 电流 - 输入偏置:50nA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:3mA 电压 - 电源，单/双（±）:8 V ~ 30 V,±4 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-LSSOP |
| 运算放大器 | BA4580RF-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:5 V/µs 增益带宽积:5MHz 电流-输入偏置:100nA 电压-输入失调:300µV 电流-电源:6mA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:4 V ~ 32 V,±2 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOP |
| 通用放大器 | BA4560FJ-GE2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:50nA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:4mA 电流 - 输出/通道:25mA 电压 - 电源，单/双（±）:8 V ~ 30 V,±4 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电路数:2 压摆率:4 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| 通用放大器 | BA4558FJ-GE2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:3mA 电压 - 电源，单/双（±）:8 V ~ 30 V,±4 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电路数:2 压摆率:1 V/µs 电流 - 输入偏置:60nA |
| 通用放大器 | BA3472FJ-GE2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:100nA 电压 - 输入失调:1.5mV 电流 - 电源:4mA 电流 - 输出/通道:30mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电路数:2 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:4MHz |
| 音频放大器 | DIO2128XM10 | Dioo(帝奥微) | 封装/外壳:XM10 |
| 运算放大器 | DIO2052MP8 | Dioo(帝奥微) | 封装/外壳:MSOP-8 |
| 运算放大器 | MD1322/SOP8 | MingDa(明达微) | |
| 运算放大器 | MD1321/SOT23-5 | MingDa(明达微) | |
| 运算放大器 | MD1322/SOP8 | MingDa(明达微) | |
| 运算放大器 | MD1321/SOT23-5 | MingDa(明达微) | |
| 音频放大器 | PAM8320RDR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:20W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 运算放大器 | LMV321WG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:LMV 电源电压-最小:2.7 V 关闭:No Shutdown 电源电压-最大:5.5 V 通道数量:1 Channel 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 工作电源电流(mA):110 uA 电源类型:Single Ib-输入偏流:250 nA 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:110µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-25 |
| 运算放大器 | LM2904DT | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 模拟比较器 | LM2903DT | ROHM(罗姆) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LMV358M8G-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:190µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 模拟比较器 | TS339IDT | ST(意法半导体) | 元件数:4 输出类型:CMOS,开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 16 V,±1.35 V ~ 8 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 10V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5V 电流-输出（典型值）:20mA 电流-静态（最大值）:25µA CMRR，PSRR（典型值）:75dB CMRR 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | TP2434-SR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 运算放大器 | TP2122-VR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 运算放大器 | TP07-SR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 运算放大器 | TL072ACDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | NCS20072DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:2.4 V/µs 增益带宽积:3.2MHz 电流-输入偏置:2nA 电压-输入失调:1.3mV 电流-电源:465µA Current-Output/Channel:65mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 36 V,±1.35 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC 电流 - 输入偏置:2nA 电压 - 输入失调:1.3mV 电流 - 电源:465µA 电流 - 输出/通道:65mA 电压 - 电源，单/双（±）:2.7 V ~ 36 V,±1.35 V ~ 18 V |
| 运算放大器 | LM358-SR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 模拟比较器 | LM311DT | ST(意法半导体) | 元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调（最大值）:7.5mV @ ±15V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ ±15V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:7.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM2904DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 模拟比较器 | LM2903DR2G | ON(安森美) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 运算放大器 | LM258DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电流 - 输入偏置:45nA 电压 - 输入失调:2mV 电流 - 电源:1.5mA 电流 - 输出/通道:40mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V |
| 模拟比较器 | LM239ADT | ST(意法半导体) | 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | AZ4558CMTR-E1 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 压摆率:1.8 V/µs 增益带宽积:5.5MHz 电流-输入偏置:70nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:2.5mA 电流-输出/通道:60mA 电压-电源，单/双（±）:±2 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 模拟比较器 | TS339IDT | ST(意法半导体) | 元件数:4 输出类型:CMOS,开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 16 V,±1.35 V ~ 8 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 10V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5V 电流-输出（典型值）:20mA 电流-静态（最大值）:25µA CMRR，PSRR（典型值）:75dB CMRR 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | TP2434-SR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 运算放大器 | TP2122-VR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 运算放大器 | TP07-SR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 运算放大器 | TL072ACDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | NCS20072DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:2.4 V/µs 增益带宽积:3.2MHz 电流-输入偏置:2nA 电压-输入失调:1.3mV 电流-电源:465µA Current-Output/Channel:65mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 36 V,±1.35 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC 电流 - 输入偏置:2nA 电压 - 输入失调:1.3mV 电流 - 电源:465µA 电流 - 输出/通道:65mA 电压 - 电源，单/双（±）:2.7 V ~ 36 V,±1.35 V ~ 18 V |
| 运算放大器 | LM358-SR | 3PEAK(思瑞浦) | |
| 模拟比较器 | LM311DT | ST(意法半导体) | 元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调（最大值）:7.5mV @ ±15V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ ±15V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:7.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM2904DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 模拟比较器 | LM2903DR2G | ON(安森美) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 运算放大器 | LM258DR2G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电流 - 输入偏置:45nA 电压 - 输入失调:2mV 电流 - 电源:1.5mA 电流 - 输出/通道:40mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V |
| 模拟比较器 | LM239ADT | ST(意法半导体) | 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | AZ4558CMTR-E1 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 压摆率:1.8 V/µs 增益带宽积:5.5MHz 电流-输入偏置:70nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:2.5mA 电流-输出/通道:60mA 电压-电源，单/双（±）:±2 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |