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    模拟比较器 LMV331W5-7 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
    模拟比较器 LMV393M8-13 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP
    模拟比较器 LM2901AS14-13 封装/外壳:14-SOIC
    模拟比较器 LM2903S-13 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LM2903AS-13 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LM2901T14-13 封装/外壳:14-TSSOP
    模拟比较器 LM2901S14-13 封装/外壳:14-SOIC
    模拟比较器 LM2901AT14-13 封装/外壳:14-TSSOP
    模拟比较器 AZV331KTR-E1 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
    模拟比较器 AZV393MTR-E1 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 AZV393MMTR-E1 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP
    模拟比较器 AZV393GTR-G1 封装/外壳:8-TSSOP
    模拟比较器 AZV393GTR-E1 封装/外壳:8-TSSOP
    模拟比较器 AZV3001FZ4-7 封装/外壳:6-XFDFN
    模拟比较器 AS393GTR-E1 封装/外壳:8-TSSOP
    模拟比较器 AS393P-E1 封装/外壳:8-DIP
    模拟比较器 AS393MMTR-G1 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP
    模拟比较器 AS339GTR-E1 封装/外壳:14-TSSOP
    模拟比较器 AS339AMTR-G1 封装/外壳:14-SOIC
    模拟比较器 LM2903QTH-13 FET类型:差分 元件数:2 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:2mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:1.7mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
    模拟比较器 LMV393S-13 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 AS339GTR-G1 Ib - 输入偏流:25 nA Ios - 输入偏置电流:5mA 功率:0.79W Vcm - 共模电压:0Vto34.5V Vos - 输入偏置电压:2 mV 关闭:NoShutdown 响应时间:1.3 us 封装/外壳:TSSOP-14 工作电源电流(mA):12 mA 每个通道的输出电流:0.9 mA 比较器类型:General Purpose 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:2 V 输出类型:Open Collector 通道数量:4 Channel 工作温度:-40°C ~ 85°C
    模拟比较器 TS339IDT 元件数:4 输出类型:CMOS,开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 16 V,±1.35 V ~ 8 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 10V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5V 电流-输出（典型值）:20mA 电流-静态（最大值）:25µA CMRR，PSRR（典型值）:75dB CMRR 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 LMV393S-13 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 LMV393M8-13 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP
    模拟比较器 LMV331W5-7 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
    模拟比较器 LMV331SE-7 元件数:1 Ohms 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:120µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-353
    模拟比较器 LM311DT 元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调（最大值）:7.5mV @ ±15V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ ±15V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:7.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 LM293DR2G 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-25°C ~ 85°C 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流 - 输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V
    模拟比较器 LM2903TH-13 封装/外壳:8-TSSOP
    模拟比较器 LM2903M8-13 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP
    模拟比较器 LM2903DR2G 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LM2903ATH-13 封装/外壳:8-TSSOP
    模拟比较器 LM2903AQS-13 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LM2903AQM8-13 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP
    模拟比较器 LM2901DR2G 元件数:4 输出类型:CMOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V
    模拟比较器 LM2901AQS14-13 封装/外壳:14-SOIC
    模拟比较器 LM239ADT 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 BA10339FV-E2 工作温度:-40°C~85°C 电压-输入补偿(最大值):5mV @ 5V 电压-供电,单/双?(±):3V ~ 36V,±1.5V ~ 18V 电流-静态(最大值):2mA 元件数:4 电流-输入偏置(最大值):0.25?A @ 5V 封装/外壳:14-SSOPB 电流-输出(典型值):16mA @ 5V 输出类型:开路集电极
    模拟比较器 AZV393MMTR-G1 Diodes(达尔（美台）) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP
    模拟比较器 AS393MTR-G1 Diodes(达尔（美台）) 系列:AS 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 AP331AWRG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT25R
    模拟比较器 AP331AWG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT-25
    模拟比较器 LM358DR ROHM(罗姆) 工作温度:-40°C~85°C 电压-供电,单/双?(±):3V ~ 32V,±1.5V ~ 16V 电路数:2 电流-供电:600?A 封装/外壳:8-SOIC 增益带宽积:700kHz 电流-输出/通道:40mA 压摆率:0.3V/?s 电压-输入补偿:1mV 电流-输入偏置:20nA
    模拟比较器 LM2903DT ROHM(罗姆) 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 TS339IDT ST(意法半导体) 元件数:4 输出类型:CMOS,开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 16 V,±1.35 V ~ 8 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 10V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5V 电流-输出（典型值）:20mA 电流-静态（最大值）:25µA CMRR，PSRR（典型值）:75dB CMRR 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 LM311DT ST(意法半导体) 元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调（最大值）:7.5mV @ ±15V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ ±15V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:7.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 LM2903DR2G ON(安森美) 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LM239ADT ST(意法半导体) 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 TS339IDT ST(意法半导体) 元件数:4 输出类型:CMOS,开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 16 V,±1.35 V ~ 8 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 10V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5V 电流-输出（典型值）:20mA 电流-静态（最大值）:25µA CMRR，PSRR（典型值）:75dB CMRR 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 LM311DT ST(意法半导体) 元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调（最大值）:7.5mV @ ±15V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ ±15V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:7.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 LM2903DR2G ON(安森美) 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LM239ADT ST(意法半导体) 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 LM2903QTH-13 Diodes(达尔（美台）) FET类型:差分 元件数:2 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:2mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:1.7mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
    模拟比较器 LM2901QS14-13 Diodes(达尔（美台）) 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:差分 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V
    模拟比较器 LM239ADT ST(意法半导体) 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 TS339IDT ST(意法半导体) 元件数:4 输出类型:CMOS,开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 16 V,±1.35 V ~ 8 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 10V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5V 电流-输出（典型值）:20mA 电流-静态（最大值）:25µA CMRR，PSRR（典型值）:75dB CMRR 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO
    模拟比较器 LMV393S-13 Diodes(达尔（美台）) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 AS393MTR-G1 Diodes(达尔（美台）) 系列:AS 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 AP331AWRG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT25R
    模拟比较器 LM2903DMR2G ON(安森美) 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流 - 输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V
    模拟比较器 LM311DT ST(意法半导体) 元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调（最大值）:7.5mV @ ±15V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ ±15V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:7.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 LMV331SE-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:120µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-353
    模拟比较器 LM2901QS14-13 Diodes(达尔（美台）) 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:差分 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V
    模拟比较器 AS393MTR-E1 Diodes(达尔（美台）) 系列:AS 电源电压-最小:2 V 电源电压-最大:36 V 功率:0.66W 通道数量:2 Channel 工作电源电流(mA):1.7 mA Ib-输入偏流:250 nA 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LMV331SE-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:120µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-353
    模拟比较器 LM2903DGKR TI(德州仪器) FET类型:差分 元件数:2 输出类型:CMOS,MOS,开路集电极,TTL 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流 - 输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:20mA 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 比较器类型:差分 封装/外壳:MSOP 电源类型:双,单 输出类型:开路集电极 每片芯片通道数目:2 典型响应时间:1.3µs 引脚数目:8 典型单电源电压:3 → 28 V 封装/外壳:3 x 3 x 0.97mm 长度:3mm 高度:0.97mm 最高工作温度:+125 °C 典型双电源电压:±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V 典型电压增益:100 dB 最低工作温度:-40 °C
    模拟比较器 AP331AWG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT-25
    模拟比较器 AS339MTR-E1 Diodes(达尔（美台）) 元件数:4 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC
    模拟比较器 AS339GTR-G1 Diodes(达尔（美台）) Ib - 输入偏流:25 nA Ios - 输入偏置电流:5mA 功率:0.79W Vcm - 共模电压:0Vto34.5V Vos - 输入偏置电压:2 mV 关闭:NoShutdown 响应时间:1.3 us 封装/外壳:TSSOP-14 工作电源电流(mA):12 mA 每个通道的输出电流:0.9 mA 比较器类型:General Purpose 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:2 V 输出类型:Open Collector 通道数量:4 Channel 工作温度:-40°C ~ 85°C
    模拟比较器 AZV393MMTR-G1 Diodes(达尔（美台）) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP
    模拟比较器 AP331AWRG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT25R
    模拟比较器 SC6619 思泰迪
    模拟比较器 LMV393S-13 Diodes(达尔（美台）) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 SC6615 思泰迪
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    模拟比较器 SC8442 思泰迪
    模拟比较器 LM2903QTH-13 Diodes(达尔（美台）) FET类型:差分 元件数:2 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:2mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:1.7mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
    模拟比较器 LM2901QS14-13 Diodes(达尔（美台）) 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:差分 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V
    模拟比较器 AZV393MMTR-G1 Diodes(达尔（美台）) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP
    模拟比较器 AP331AWG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT-25
    模拟比较器 AS393MTR-G1 Diodes(达尔（美台）) 系列:AS 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 AS339MTR-E1 Diodes(达尔（美台）) 元件数:4 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC
    模拟比较器 AP331AWRG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT25R
    模拟比较器 AS339GTR-G1 Diodes(达尔（美台）) Ib - 输入偏流:25 nA Ios - 输入偏置电流:5mA 功率:0.79W Vcm - 共模电压:0Vto34.5V Vos - 输入偏置电压:2 mV 关闭:NoShutdown 响应时间:1.3 us 封装/外壳:TSSOP-14 工作电源电流(mA):12 mA 每个通道的输出电流:0.9 mA 比较器类型:General Purpose 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:2 V 输出类型:Open Collector 通道数量:4 Channel 工作温度:-40°C ~ 85°C
    模拟比较器 AS339GTR-G1 Diodes(达尔（美台）) Ib - 输入偏流:25 nA Ios - 输入偏置电流:5mA 功率:0.79W Vcm - 共模电压:0Vto34.5V Vos - 输入偏置电压:2 mV 关闭:NoShutdown 响应时间:1.3 us 封装/外壳:TSSOP-14 工作电源电流(mA):12 mA 每个通道的输出电流:0.9 mA 比较器类型:General Purpose 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:2 V 输出类型:Open Collector 通道数量:4 Channel 工作温度:-40°C ~ 85°C
    模拟比较器 AP331AWRG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT25R
    模拟比较器 LMV393S-13 Diodes(达尔（美台）) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:200µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 AP331AWG-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:8mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.4µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT-25
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    模拟比较器 LMV331SE-7 Diodes(达尔（美台）) 元件数:1 Ohms 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流-输出（典型值）:84mA @ 5V 电流-静态（最大值）:120µA 传播延迟（最大值）:450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-353
    模拟比较器 LM2903DT ROHM(罗姆) 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO
    模拟比较器 LM2903DR2G ON(安森美) 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC
    模拟比较器 LM293DR2G ON(安森美) 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-25°C ~ 85°C 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:2.5mA 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电压 - 电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流 - 输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V
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    模拟比较器 BA2903F-E2 ROHM(罗姆) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:1mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOP
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    模拟比较器 BA2903SFV-E2 ROHM(罗姆) 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:1mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SSOPB

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