| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | STP4NK80Z |
| 说明 | 通用MOSFET TO-220-3 TO-220 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 起订量 | 50 |
| 最小包 | 50 |
| 现货 | 1498 [库存更新时间:2025-11-27] |
| 系列 | SuperMESH™ |
| 连续漏极电流Id | 3A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22.5nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 575pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 80W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5 Ohms@1.5A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 3A |


