参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STD1NK80Z-1 |
说明 | 通用MOSFET TO-251-3,IPak,TO-251AA IPAK |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 983 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | SuperMESH™ |
连续漏极电流Id | 1A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.7nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 160pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±30V |
Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 16 Ohms@500mA,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-251-3 ,IPak,TO-251AA |
封装/外壳 | IPAK |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 800V |
连续漏极电流Id | 1A |