参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STP18NM60ND
说明	通用MOSFET   TO-220-3 TO-220
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	968 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	FDmesh™ II
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1030pF @ 50V
Rds On(Max)@Id,Vgs	290mΩ@6.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
连续漏极电流Id	13A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	110W(Tc)
封装/外壳	TO-220-3
封装/外壳	TO-220
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
最高工作温度	+ 150 C
130 W	Pd - 功率消耗
下降时间	18 ns
最低工作温度	- 55 C
上升时间	15.5 ns
FET类型	N-Channel
标准包装数量	50
标准断开延迟时间	13 ns
漏源极电压Vds	650V
栅极电压Vgs	25V
连续漏极电流Id	13A
Rds On(Max)@Id,Vgs	290mΩ
配置	Single
栅极电压Vgs	4V
34 nC	Qg - 闸极充电