参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | STL160NS3LLH7 |
说明 | 功率MOSFET Power |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 980 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | DeepGATE™,STripFET™ VII |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3245pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Pd-功率耗散(Max) | 84W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.1mΩ@18A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | Power |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 160A |