参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STL3NM60N
说明	通用MOSFET   8-PowerVDFN
品牌	ST(意法半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6980 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	MDmesh™ II
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	650mA(Ta),2.2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	188pF @ 50V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Ta),22W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.8 Ohms@1A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerVDFN