参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STL110N10F7
说明	通用MOSFET   Power
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	107 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VII
连续漏极电流Id	107A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	72nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5117pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6m Ohms@10A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	Power
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	110A
最高工作温度	+ 175 C
5 W	Pd - 功率消耗
最低工作温度	- 55 C
标准包装数量	3000
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
栅极电压Vgs	20V
连续漏极电流Id	21A
Rds On(Max)@Id,Vgs	6mΩ
配置	Dual Dual Source
栅极电压Vgs	2V,to4V
60 nC	Qg - 闸极充电