参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	STGF7H60DF
说明	功率MOSFET   TO-220FP
品牌	ST(意法半导体)
起订量	50
最小包	50
现货	410 [库存更新时间：2025-04-03]
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	14A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	28A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.95V @ 15V,7A
Pd-功率耗散(Max)	24W
开关能量	99µJ(开),100µJ(关)
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	30ns/160ns
测试条件	400V,7A,47 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	136ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220FP