参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGD6M65DF2
说明	通用MOSFET   DPAK
品牌	ST(意法半导体)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5125 [库存更新时间：2026-01-23]
系列	M
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极（Ic）（最大值）	12A
脉冲电流-集电极(Icm)	24A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2V @ 15V,6A
Pd-功率耗散(Max)	88W
开关能量	36µJ(开),200µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	15ns/90ns
测试条件	400V,6A,22 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	140ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	DPAK