参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGP4M65DF2
说明	通用MOSFET   TO-220AB
品牌	ST(意法半导体)
起订量	100
最小包	100
现货	334 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	M
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极（Ic）（最大值）	8A
脉冲电流-集电极(Icm)	16A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.1V @ 15V,4A
Pd-功率耗散(Max)	68W
开关能量	40µJ(开),136µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	12ns/86ns
测试条件	400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	133ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220AB