参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQM50P04-09L_GE3
说明	功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 10.67mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	283 [库存更新时间：2025-04-03]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	145nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6045pF @ 10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
连续漏极电流Id	50A
Pd-功率耗散(Max)	150W
Qg-栅极电荷	145nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8mΩ
漏源极电压Vds	40V
栅极电压Vgs	2.5V
上升时间	13ns
下降时间	18ns
典型关闭延迟时间	61ns
典型接通延迟时间	12ns
宽度	9.65mm
系列	SQ
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	10.67mm
高度	4.83mm