参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQM50028EM_GE3
说明	功率MOSFET   TO-263-7,D²Pak
品牌	Vishay(威世)
起订量	800
最小包	800
现货	1897 [库存更新时间：2025-04-15]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	185nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	11900pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-7,D²Pak
连续漏极电流Id	120A
Pd-功率耗散(Max)	375W
Qg-栅极电荷	123nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	2mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	3V
上升时间	26ns
下降时间	25ns
典型关闭延迟时间	105ns
典型接通延迟时间	48ns
FET类型	N-Channel
系列	SQ
通道数量	1Channel
配置	Single