参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD70P04P4L08ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.41mm 6.73mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	70A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 120µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	92nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5430pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8 毫欧 @ 70A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3-313
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	70 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-16 V、+16 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	75W
高度	2.41mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm
宽度	6.22mm
系列	OptiMOS T2
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	4177 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	12 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm