参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPI20N65C3
说明	功率MOSFET   10.2mm I2PAK(TO-262)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-02]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	87nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	208W
高度	9.45mm
长度	10.2mm
系列	CoolMOSC3
宽度	4.5mm
下降时间	4.5ns
上升时间	5ns
典型关闭延迟时间	67ns
典型接通延迟时间	10ns
Rds On(Max)@Id,Vgs	190mΩ
连续漏极电流Id	62.1A
漏源极电压Vds	650V
RthJC max	0.6 K/W
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
QG	87.0 nC
Ptot max	208.0W
FET类型	N-Channel
Pin Count	3.0Pins
栅极电压Vgs	2.1V,3.9V
Mounting	THT
Mode	Enhancement
工作温度	-55°C~150°C