参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPI20N60CFD
说明	功率MOSFET   10.2mm I2PAK(TO-262)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-03]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	95nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	208W
高度	9.45mm
长度	10.2mm
系列	CoolMOSCFD
宽度	4.5mm
下降时间	6.4ns
上升时间	15ns
典型关闭延迟时间	59ns
典型接通延迟时间	12ns
Rds On(Max)@Id,Vgs	220mΩ
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	20.7A
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
Rth	0.6K/W
QG	95.0nC
Ptot max	208.0W
FET类型	N-Channel
栅极电压Vgs	3V,5V
工作温度	-55°C~150°C