参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPD08P06PGBTMA1
说明	通用MOSFET   DPAK PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	106 [库存更新时间：2025-04-04]
系列	SIPMOS®
连续漏极电流Id	8.83A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6.2V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	420pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	300m Ohms@10A,6.2V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	DPAK
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	8.83A
漏源极电压Vds	60V
封装/外壳	PG-TO252-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V