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    SISS23DN-T1-GE3

    品牌:Vishay(威世)

    产品:通用MOSFET

    库存:105 Pcs [库存更新时间:2025-04-21]

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    产品概述
    参数
    产品通用MOSFET
    型号编码SISS23DN-T1-GE3
    说明通用MOSFET   8-PowerVDFN PowerPak1212-8
    品牌Vishay(威世)
    起订量0
    最小包0
    现货105 [库存更新时间:2025-04-21]
    系列TrenchFET®
    连续漏极电流Id50A(Tc)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)1.8V,4.5V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)900mV @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)300nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)8840pF @ 15V
    栅极电压Vgs±8V
    Pd-功率耗散(Max)4.8W(Ta),57W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs4.5m Ohms@20A,4.5V
    工作温度-50°C~150°C(TJ)
    封装/外壳8-PowerVDFN
    封装/外壳PowerPak1212-8
    FET类型P-Channel
    漏源极电压Vds20V
    连续漏极电流Id50A
    Rds On(Max)@Id,Vgs4.5mΩ

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