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    SIHH21N60E-T1-GE3

    品牌:Vishay(威世)

    产品:功率MOSFET

    库存:6306 Pcs [库存更新时间:2024-05-06]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SIHH21N60E-T1-GE3
    说明功率MOSFET   PowerPak-4 8mm
    品牌Vishay(威世)
    起订量3000
    最小包3000
    现货6306 [库存更新时间:2024-05-06]
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)83nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)2015pF @ 100V
    工作温度-55°C~150°C(TJ)
    封装/外壳PowerPak-4
    连续漏极电流Id20A
    Pd-功率耗散(Max)104W
    Qg-栅极电荷55nC
    Rds On(Max)@Id,Vgs153mΩ
    漏源极电压Vds600V
    栅极电压Vgs4V
    上升时间32ns
    下降时间45ns
    典型关闭延迟时间68ns
    典型接通延迟时间20ns
    宽度8mm
    系列E
    通道数量1Channel
    配置Single
    长度8mm
    高度1mm

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