参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHB35N60E-GE3
说明	功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	163 [库存更新时间：2025-04-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	32A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	132nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2760pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	94mΩ@17A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB