参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI7882DP-T1-E3 |
说明 | 通用MOSFET PowerPAK®SO-8 PowerPAK |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 115 [库存更新时间:2025-04-22] |
系列 | TrenchFET® |
连续漏极电流Id | 13A(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 4.5V |
栅极电压Vgs | ±8V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.9W(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.5m Ohms@17A,4.5V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳 | PowerPAK |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 12V |
连续漏极电流Id | 13A |