参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI7540DP-T1-E3
说明	通用MOSFET   PowerPAK®SO-8Dual SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	410 [库存更新时间：2025-04-22]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	7.6A,5.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	17m Ohms@11.8A,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 4.5V
Pd-功率耗散(Max)	1.4W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK® SO-8 Dual
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	11.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs	14m Ohms,26m Ohms