参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI5513CDC-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 1206-8ChipFET™ ChipFET-8 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 105 [库存更新时间:2025-04-06] |
系列 | TrenchFET® |
连续漏极电流Id | 4A,3.7A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 55m Ohms@4.4A,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.2nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 285pF @ 10V |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 1206-8 ChipFET™ |
封装/外壳 | ChipFET-8 |
FET类型 | N+P-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 4A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 45m Ohms,120m Ohms |