参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI5468DC-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SMD ChipFET-8 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6113 [库存更新时间:2025-04-15] |
系列 | TrenchFET® |
连续漏极电流Id | 6A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 435pF @ 15V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),5.7W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 28m Ohms@6.8A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SMD |
封装/外壳 | ChipFET-8 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 6A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 28mΩ |
漏源极电压Vds | 2.5V |