参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI4532ADY-T1-E3
说明	通用MOSFET   8-SO SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	113 [库存更新时间：2025-04-12]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	3.7A,3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	53m Ohms@4.9A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16nC @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	1.13W,1.2W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	4.9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	44m Ohms,62m Ohms