参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI4463CDY-T1-GE3
说明	通用MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5113 [库存更新时间：2025-04-15]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	13.6A(Ta),49A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	162nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4250pF @ 15V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	2.7W(Ta),5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8m Ohms@13A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	18.6A
Rds On(Max)@Id,Vgs	8mΩ