参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RS1E200GNTB
说明	功率MOSFET   HSOP-8
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	484 [库存更新时间：2025-04-08]
连续漏极电流Id	20A
Pd-功率耗散(Max)	3W
Qg-栅极电荷	16.8nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.6mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	2.5V
上升时间	7.2ns
下降时间	8.4ns
典型关闭延迟时间	34.7ns
典型接通延迟时间	13.2ns
封装/外壳	HSOP-8
FET类型	N-Channel
正向跨导 - 最小值	18S
通道数量	1Channel
配置	Single
工作温度	-55°C~150°C