参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RQ3E150GNTB
说明	功率MOSFET   HSMT-8
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	484 [库存更新时间：2025-04-03]
连续漏极电流Id	15A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Qg-栅极电荷	15.3nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.1mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	±20V
上升时间	5.8ns
下降时间	7.8ns
典型关闭延迟时间	34.4ns
典型接通延迟时间	11.6ns
封装/外壳	HSMT-8
FET类型	N-Channel
正向跨导 - 最小值	13.5S
通道数量	1Channel
配置	Single
工作温度	-55°C~150°C