参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RS1E200BNTB
说明	功率MOSFET   8-PowerTDFN
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	484 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	20A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	59nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3100pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	3W(Ta),25W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.9mΩ@20A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerTDFN