参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RQ3E180GNTB
说明	功率MOSFET   HSMT-8
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	1
最小包	3000
现货	3145 [库存更新时间：2025-04-03]
连续漏极电流Id	18A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Qg-栅极电荷	22.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.3mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	2.5V
上升时间	6.9ns
下降时间	10.2ns
典型关闭延迟时间	56.8ns
典型接通延迟时间	16.5ns
封装/外壳	HSMT-8
FET类型	N-Channel
正向跨导 - 最小值	17S
通道数量	1Channel
配置	Single
工作温度	-55°C~150°C