参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RQ3E100GNTB
说明	功率MOSFET   HSMT-8
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	1
最小包	3000
现货	247 [库存更新时间：2025-11-16]
连续漏极电流Id	10A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Qg-栅极电荷	7.9nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	11.7mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	2.5V
上升时间	4.3ns
下降时间	3.1ns
典型关闭延迟时间	22.4ns
典型接通延迟时间	8.4ns
封装/外壳	HSMT-8
FET类型	N-Channel
正向跨导 - 最小值	8S
通道数量	1Channel
配置	Single
工作温度	-55°C~150°C