| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | QH8MA4TCR |
| 说明 | 功率MOSFET TSMT |
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 现货 | 636 [库存更新时间：1970-01-01] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@9A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.5nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 640pF @ 15V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TSMT |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 9A,8A |
IC普拉斯 元器件现货
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