参数 | 值 |
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产品 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
型号编码 | MT46V16M16P-5B:M |
说明 | 异步动态随机存储器(DRAM) 66-TSSOP(0.400",10.16mm宽) |
品牌 | Micron(美光科技) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2308 [库存更新时间:2024-05-16] |
存储器类型 | 易失 |
存储器格式 | DRAM |
存储容量 | 256Mb (16M x 16) |
时钟频率 | 200MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns |
访问时间 | 700ps |
存储器接口 | 并联 |
电压 - 电源 | 2.5 V ~ 2.7 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
封装/外壳 | 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) |
存储容量 | 256 Mbit |
数据总线宽度 | 16 bit |
最大时钟频率 | 200 MHz |
电源电压-最大 | 2.7 V |
电源电压-最小 | 2.3 V |
电源电流—最大值 | 175 mA |
系列 | MT46V |
组织 | 16 M x 16 |