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> 异步动态随机存储器(DRAM)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E IT:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H32M16NF-25E:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M8SH-25E IT:M | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107:J | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107 IT:J | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | IS61WV25616BLL-10TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | IS42S16800F-7TL-TR | 封装/外壳:54-TSOP II | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | IS42S16400J-7TL | 封装/外壳:54-TSOP II | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC8M16A2P-6A:L | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:128 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT48LC 组织:8 M x 16 访问时间:17 ns |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC8M16A2P-6A IT:L | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:128 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT48LC 组织:8 M x 16 访问时间:17 ns |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC4M32B2P-6A IT:L | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:128 Mbit 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:120 mA 系列:MT48LC 组织:4 M x 32 访问时间:17 ns |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC16M16A2P-6A:G | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储器大小:256MB 组织:16M x 16 位 数据总线宽度:16Bit 位址总线宽:15Bit 最长随机存取时间:6ns 字组数目:16M 引脚数目:54 高度:1.2mm 长度:22.22mm 最小工作电源电压:3 V 宽度:10.16mm 最大工作电源电压:3.6 V 存储容量:256 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:135 mA 系列:MT48LC 组织:16 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC16M16A2P-6A IT:G | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:256 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:135 mA 系列:MT48LC 组织:16 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (64M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E IT:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (64M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M16NF-25E:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M16NF-25E IT:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H32M16NF-25E:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M8SH-25E:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M8SH-25E IT:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M16RT-25E IT:C | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (128M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:2 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:400 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:105 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT46V32M16P-5B:J | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:200 MHz 电源电压-最大:2.7 V 电源电压-最小:2.5 V 电源电流—最大值:85 mA 系列:MT46V 组织:32 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT46V16M16P-5B:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:256 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:200 MHz 电源电压-最大:2.7 V 电源电压-最小:2.3 V 电源电流—最大值:175 mA 系列:MT46V 组织:16 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107:J | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107 IT:J | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M8RH-125:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (512M x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M8DA-107:P | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (512M x 8) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M16HA-125IT:ATR | Micron(美光科技) | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M16HA-125:A | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (512M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M8DA-125IT:K | Micron(美光科技) | 封装/外壳:FBGA-78 系列:MT41K 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (256M x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M8DA-125:K | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (256M x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16TW-107IT:P | Micron(美光科技) | 封装/外壳:FBGA-96 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16TW-107:P | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16LY-107:N | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16HA-125:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16HA-125 IT:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K1G8SN-125IT:A TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (1G x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K1G8SN-125:A TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (1G x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K128M16JT-125:K | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (128M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K128M16JT-125 IT:K | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (128M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT40A512M16LY-075:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (512M x 16) 时钟频率:1.33GHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 存储容量:8 Gbit 封装/外壳:FBGA-96 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:1333 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT40A 组织:512 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT40A512M16JY-083E:B | Micron(美光科技) | 存储容量:8 Gbit 封装/外壳:FBGA-96 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:1200 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT40A 组织:512 M x 16 工作温度:0°C ~ 95°C |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT40A256M16GE-083E:B | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:1.2GHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 存储容量:4 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:1200 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:83 mA 系列:MT40A 组织:256 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC16M16A2P-6A:G | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储器大小:256MB 组织:16M x 16 位 数据总线宽度:16Bit 位址总线宽:15Bit 最长随机存取时间:6ns 字组数目:16M 引脚数目:54 高度:1.2mm 长度:22.22mm 最小工作电源电压:3 V 宽度:10.16mm 最大工作电源电压:3.6 V 存储容量:256 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:135 mA 系列:MT48LC 组织:16 M x 16 |