IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用存储器 | RP-SMPE16DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMSC08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMTE64DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMLF08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMLE32DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDUE12DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDME08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDGD64DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDGD32DA1 | ||
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E IT:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H32M16NF-25E:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M8SH-25E IT:M | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107:J | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107 IT:J | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | BR24G16FJ-3GTE2 | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.6 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | FT25C64A-USR-T | 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | FT24C1024A-USR-T | 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q16CSIGR | 系列:SPI Interface Flash 电压:3V Density:16M bit 封装/外壳:SOP8 208mil 工作温度:-40℃ to +85℃ 包装:Tape and Reel | |
| 非易失闪存(NAND Flash) | GD5F4GQ4RBYIG | ||
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q16CEFGR | 电压:3V Density:16M bit 封装/外壳:USON8 (3x2mm, 0.45mm thickness) 工作温度:-40°C~85°C | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q40CEIGR | ||
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | GT24C02A-2GLI-TR | ||
| 通用存储器 | RP-SDFC51DA1 | ||
| 通用存储器 | M24512-RDW6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M93C46-WMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 | |
| 通用存储器 | M24C64-WMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M24C32-RMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M24C16-WMN6TP | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 存储容量:16kbit 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3.3V,5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:0.4MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.5V 电源电流—最大值:2mA 系列:M24C16-W 组织:2kx8 编程电压:2.5Vto5.5V 访问时间:900ns 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 85°C | |
| 通用存储器 | M24C04-WMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 | |
| 通用存储器 | M24C02-RMN6TP | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 | |
| 存储卡 | 2988793 | ||
| 存储卡 | 2701185 | ||
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216EBLL-45TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216BLL-55TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216BLL-55TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS61WV25616EDBLL-10TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | IS61WV25616BLL-10TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216BLL-55TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | IS42S16800F-7TL-TR | 封装/外壳:54-TSOP II | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | IS42S16400J-7TL | 封装/外壳:54-TSOP II | |
| 同步动态随机存储器(SDRAM) | IS42S16400J-6TLI | 封装/外壳:54-TSOP II | |
| 同步动态随机存储器(SDRAM) | IS42S16160G-7TLI | 封装/外壳:54-TSOP II | |
| 存储卡 | 2913157 | ||
| 非易失闪存(NAND Flash) | GD5F4GQ4UCYIGY | 内存容量:4Gbit 内存种类:NAND Flash 安装:SMD 封装/外壳:WSON8 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:120MHz 接口:Quad I/O 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 非易失闪存(NAND Flash) | GD5F4GQ4RCYIGY | 内存容量:4Gbit 内存种类:NAND Flash 安装:SMD 封装/外壳:WSON8 工作温度:-40...85°C 工作电压:1.7...2V 工作频率:120MHz 接口:Quad I/O 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q80CTIG | 封装/外壳:SOP-8 存储容量:8 Mbit | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q64CWIGR | 内存容量:64Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:WSON8 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:120MHz 接口:Quad I/O 集成电路类型:内存 电压:3V Density:64M bit | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q64CFIGR | ||
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q41BTIGR | 封装/外壳:SOP8 容量:4Mb | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q40CTIGR | 内存容量:4Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:SOP8 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:120MHz 接口:Quad I/O 集成电路类型:内存 电压:3V | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q32CWIGR | 内存容量:32Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:WSON8 工作温度:-40°C~85°C 工作电压:2.7V~3.6V 工作频率:120MHz 接口:Quad I/O 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q32CSIGR | 电压:3V Density:32M bit 封装/外壳:SOP8 208mil 工作温度:-40°C~85°C | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q20CTIGR | 内存容量:2Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:SOP8 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:120MHz 接口:Dual SPI 接口:QUAD SPI 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q16CSIGR | 系列:SPI Interface Flash 电压:3V Density:16M bit 封装/外壳:SOP8 208mil 工作温度:-40℃ to +85℃ 包装:Tape and Reel | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q127CYIGR | 内存容量:128Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:WSON8 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:104MHz 接口:Quad I/O 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q127CSIG | 内存容量:128Mbit 内存种类:NOR Flash 封装/外壳:SOP8 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:104MHz 集成电路类型:内存 电压:3V Density:128M bit | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q127CFIGR | 内存容量:128Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:SO16 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:104MHz 接口:Quad I/O 集成电路类型:内存 电压:3V Density:128M bit | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25LQ64CWIGR | 内存容量:64Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:WSON8 工作温度:-40...85°C 工作电压:1.65...2V 工作频率:133MHz 接口:Quad I/O 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25LQ64CVIGR | 内存容量:64Mbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:VSOP8 工作温度:-40...85°C 工作电压:1.65...2V 工作频率:133MHz 接口:Quad I/O 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25LQ64CSIGR | ||
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25D05BTIG | 内存容量:512kbit 内存种类:NOR Flash 安装:SMD 封装/外壳:SOP8 工作温度:-40...85°C 工作电压:2.7...3.6V 工作频率:80MHz 接口:Dual I/O 接口:SPI 集成电路类型:内存 | |
| 通用存储器 | RP-SMKC16DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SMKC08DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SMKC04DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDPC04DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDPC08DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDPC16DA1n: | ||
| 通用存储器 | RP-SDF02GDA1n: | ||
| 铁电存储器(FRAM) | FM25CL64B-GTRn: | 电压-电源:2.7 V ~ 3.65 V 存储器类型:非易失 存储器格式:FRAM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:20MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.65 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC | |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | THGBMFG8C4LBAIR | Toshiba Memory(东芝存储) | |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | KLMBG2JETD-B041 | Samsung | |
| 双倍速率同步动态随机存储器(DDR) | K9F1G08U0F-SCB0 | Samsung | |
| 通用存储器 | BR24T02FVT-WE2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C~85°C(TA) 电压-供电:1.6V ~ 5.5V 技术:EEPROM 时钟频率:400kHz 封装/外壳:8-TSSOP-B 存储器格式:EEPROM 存储容量:2Kb(256 x 8) 写周期时间-字,页:5ms 存储器类型:非易失 存储器接口:I?C |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | BR24G512FJ-3AGTE2 | ROHM(罗姆) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | GT24C08A-2GLI-TR | Giantec(聚辰) | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | GT24C02A-2GLI-TR | Giantec(聚辰) | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | GT24C08A-2GLI-TR | Giantec(聚辰) | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | M24C32-FDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 铁电存储器(FRAM) | FM24C64B-GTR | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:F-RAM™ 存储器类型:非易失 存储器格式:FRAM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 访问时间:550ns 存储器接口:I²C 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62128EV30LL-45ZAXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:45ns 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-sTSOP |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | M24C32-FDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 铁电存储器(FRAM) | FM24C64B-GTR | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:F-RAM™ 存储器类型:非易失 存储器格式:FRAM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 访问时间:550ns 存储器接口:I²C 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62128EV30LL-45ZAXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:45ns 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-sTSOP |
| 同步动态随机存储器(SDRAM) | K4B4G1646E-BYMA | Samsung | |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | KLM8G1GETF-B041 | Samsung | |
| 通用存储器 | ST25TV02K-AP6G3 | ST(意法半导体) | 系列:ST25TV02K |
| 通用存储器 | M93C86-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8,1K x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M93C76-RMN3TP/K | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI |
| 通用存储器 | M93C66-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M93C46-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 通用存储器 | M34E04-FMC9TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 通用存储器 | M24C64S-FCU6T/TF | ST(意法半导体) | 系列:M24C64S-FCU |