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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | TE28F128J3D75 S B48 | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | M58BW16FB4ZA3F | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | M58WR032KT70ZB6F | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | M29W640GH7ANB6E | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:56-TSOP |
| 未分类 | M29W400DB45ZE6F | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | M25PX16SOVZM6TP | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | M29F800FB5AM6F2 | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT47H32M16HR-37E | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT41K2G4RKB-107:N TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (2G x 4) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 封装/外壳:78-FBGA(8x10.5) |
| 未分类 | MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Gb (512M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP |
| 未分类 | MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MTFC16GAPALBH-AAT TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:128Gb (16G x 8) 存储器接口:MMC 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
| 未分类 | MT41K512M8DA-107 AAT:P TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (512M x 8) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 封装/外壳:78-FBGA(8x10.5) |
| 未分类 | MT41K512M16VRN-107 IT:P | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT40A1G16KNR-062E:E | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MTFC32GAPALNA-AIT TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Gb (32G x 8) 存储器接口:MMC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | MT29F4G08ABAFAWP-IT:F | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MTFDDAK7T6QDE-2AV16ABYY | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MTFDDAK3T8QDE-2AV16ABYY | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MTFDDAK240TDN-1AT16ABYY | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MTFDDAK1T9QDE-2AV16ABYY | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT29F8G01ADAFD12-IT:F | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT53E128M32D2DS-053 WT:A | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT41K1G8RKB-107:P | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:8ms,2.8ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.7 V ~ 2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-WPDFN(6x8)(MLP8) |
| 未分类 | MTFC128GAPALNS-AAT | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Tb (128G x 8) 存储器接口:MMC 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
| 未分类 | MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (128M x 32) 时钟频率:1600MHz 电压 - 电源:1.1V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | 28350640 | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MTA9ASF1G72HZ-2G6E2 | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:63-VFBGA 封装/外壳:63-VFBGA(9x11) |
| 未分类 | MTFDHAL1T6TCU-1AR18ABYY | Micron(美光科技) | |
| 未分类 | MT28EW512ABA1LPC-0SIT TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:512Mb (64M x 8,32M x 16) 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:95ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LBGA 封装/外壳:64-LBGA(11x13) |
| 未分类 | MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (512M x 8) 时钟频率:1.33GHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 封装/外壳:78-FBGA(9x10.5) |
| 未分类 | MT40A256M16GE-083E AIT:B TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:1.2GHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) |
| 未分类 | MTFC16GLWDM-4M AIT Z TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:128Gb (16G x 8) 存储器接口:MMC 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Gb (128M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | MT29F1G08ABADAWP:D TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Gb (128M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MTFC8GAKAJCN-1M WT TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:64Gb (8G x 8) 存储器接口:MMC 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 存储容量:8 Gbit 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V 系列:MTFC 连续写入:22 MB/s 连续读取:190 MB/s 配置:MLC |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MTFC4GACAJCN-4M IT | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Gb (4G x 8) 存储器接口:MMC 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 存储容量:4 GB 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V 系列:MTFC 连续写入:14 MB/s 连续读取:160 MB/s |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MTFC4GACAJCN-1M WT | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Gb (4G x 8) 存储器接口:MMC 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 存储容量:4 GB 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V 系列:MTFC 连续写入:14 MB/s 连续读取:160 MB/s 配置:MLC |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MTFC4GACAAAM-1M | Micron(美光科技) | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC8M16A2P-6A:L | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:128 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT48LC 组织:8 M x 16 访问时间:17 ns |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC8M16A2P-6A IT:L | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:128 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT48LC 组织:8 M x 16 访问时间:17 ns |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC4M32B2P-6A IT:L | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:128 Mbit 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:120 mA 系列:MT48LC 组织:4 M x 32 访问时间:17 ns |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC16M16A2P-6A:G | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储器大小:256MB 组织:16M x 16 位 数据总线宽度:16Bit 位址总线宽:15Bit 最长随机存取时间:6ns 字组数目:16M 引脚数目:54 高度:1.2mm 长度:22.22mm 最小工作电源电压:3 V 宽度:10.16mm 最大工作电源电压:3.6 V 存储容量:256 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:135 mA 系列:MT48LC 组织:16 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT48LC16M16A2P-6A IT:G | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:167MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:256 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:167 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流—最大值:135 mA 系列:MT48LC 组织:16 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (64M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E IT:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (64M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M16NF-25E:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M16NF-25E IT:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H32M16NF-25E:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M8SH-25E:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M8SH-25E IT:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 8 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M16RT-25E IT:C | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (128M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:2 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:400 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:105 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT46V32M16P-5B:J | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:200 MHz 电源电压-最大:2.7 V 电源电压-最小:2.5 V 电源电流—最大值:85 mA 系列:MT46V 组织:32 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT46V16M16P-5B:M | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 存储容量:256 Mbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:200 MHz 电源电压-最大:2.7 V 电源电压-最小:2.3 V 电源电流—最大值:175 mA 系列:MT46V 组织:16 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107:J | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107 IT:J | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M8RH-125:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (512M x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M8DA-107:P | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (512M x 8) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M16HA-125IT:ATR | Micron(美光科技) | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K512M16HA-125:A | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (512M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M8DA-125IT:K | Micron(美光科技) | 封装/外壳:FBGA-78 系列:MT41K 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (256M x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M8DA-125:K | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (256M x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16TW-107IT:P | Micron(美光科技) | 封装/外壳:FBGA-96 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16TW-107:P | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16LY-107:N | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16HA-125:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K256M16HA-125 IT:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K1G8SN-125IT:A TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (1G x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K1G8SN-125:A TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (1G x 8) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K128M16JT-125:K | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (128M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K128M16JT-125 IT:K | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (128M x 16) 时钟频率:800MHz 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT40A512M16LY-075:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:8Gb (512M x 16) 时钟频率:1.33GHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 存储容量:8 Gbit 封装/外壳:FBGA-96 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:1333 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT40A 组织:512 M x 16 |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT40A512M16JY-083E:B | Micron(美光科技) | 存储容量:8 Gbit 封装/外壳:FBGA-96 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:1200 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:100 mA 系列:MT40A 组织:512 M x 16 工作温度:0°C ~ 95°C |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT40A256M16GE-083E:B | Micron(美光科技) | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:1.2GHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 存储容量:4 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:1200 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:83 mA 系列:MT40A 组织:256 M x 16 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F8G08ABABAWP:B | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Gb (1G x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F64G08CBABBWPR:B | Micron(美光科技) | 系列:MT29F 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:64Gb (8G x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F64G08CBABAWP:B | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:64Gb (8G x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F4G08ABAEAWP:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Gb (512M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 存储容量:4 Gbit 定时类型:Asynchronous 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:30 mA 系列:MT29F 组织:512 M x 8 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F4G08ABAEAH4:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Gb (512M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:63-VFBGA 存储容量:4 Gbit 定时类型:Asynchronous 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:30 mA 系列:MT29F 组织:512 M x 8 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F4G08ABADAWP-IT:D | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Gb (512M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 系列:MT29F |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F4G08ABADAWP:D | Micron(美光科技) | 系列:MT29F 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Gb (512M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F32G08CBADBWPR:D | Micron(美光科技) | 系列:MT29F 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Gb (4G x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F32G08CBADAWP:D | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Gb (4G x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F2G16ABAEAWP-IT:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Gb (128M x 16) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F2G16ABAEAWP:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Gb (128M x 16) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F2G08ABAGAWP-IT:G | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 存储容量:2 Gbit 定时类型:Asynchronous 封装/外壳:TSOP-48 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:35 mA 系列:MT29F 组织:256 M x 8 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 存储容量:2 Gbit 定时类型:Asynchronous 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:35 mA 系列:MT29F 组织:256 M x 8 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F2G08ABAEAWP:E TR | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 存储容量:2 Gbit 定时类型:Asynchronous 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:35 mA 系列:MT29F 组织:256 M x 8 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F2G01ABAGDWB-IT:G | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Gb (2G x 1) 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 存储容量:2 Gbit 封装/外壳:U-PDFN-8 接口类型:SPI 数据总线宽度:1 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:35 mA 系列:MT29F 组织:2 G x 1 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Gb (128M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 存储容量:1 Gbit 定时类型:Asynchronous 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:35 mA 系列:MT29F 组织:128 M x 8 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F1G08ABAEAWP:ETR | Micron(美光科技) | 存储容量:1 Gbit 定时类型:Asynchronous 封装/外壳:TSOP-48 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:35 mA 系列:MT29F 组织:128 G x 8 工作温度:0°C ~ 70°C |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F1G08ABAEAWP:E | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Gb (128M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 存储容量:1 Gbit 定时类型:Asynchronous 接口类型:Parallel 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流—最大值:35 mA 系列:MT29F 组织:128 M x 8 |
| 嵌入式多媒体卡(eMMC) | MT29F1G08ABADAWP-IT:D | Micron(美光科技) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Gb (128M x 8) 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |