参数	值
产品	未分类
型号编码	MSD602-RT1G
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59
品牌	ON(安森美)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6143 [库存更新时间：2025-04-04]
Current-Collector(Ic)(Max)	500mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 30mA,300mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 150mA,10V
Power-Max	200mW
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SC-59
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	0.5A
集电极_发射极击穿电压VCEO	50V