| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | APTM120H140FT1G |
| 说明 | 通用MOSFET SP1 SP-1 |
| 品牌 | Microsemi(美高森美) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 50 |
| 现货 | 208 [库存更新时间：2026-01-28] |
| FET类型 | 4个N通道(H桥) |
| 漏源极电压Vds | 1.2KV |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.68 Ohms@7A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 145nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3812pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 208W |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SP1 |
| 封装/外壳 | SP-1 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 1200V |
| 连续漏极电流Id | 8A |
IC普拉斯 元器件现货
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