参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFA22N65X2
说明	未分类   D2PAK(TO-263) 10.41x11.05x4.83mm 10.41mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2026-04-01]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	22 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.145 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	2.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	390W
正向跨导	14S
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	10.41 x 11.05 x 4.83mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2190 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	42 ns
典型接通延迟时间	30 ns
宽度	11.05mm
高度	4.83mm
系列	HiperFET, X2-Class
最高工作温度	+150 °C
长度	10.41mm
最低工作温度	-55 °C