参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFH34N65X2
说明	未分类   TO-247 16.24x21.45x5.3mm 16.24mm
品牌	IXYS
现货	635 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	34 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.1 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	2.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	540 W
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
高度	5.3mm
正向跨导	20S
正向二极管电压	1.4V
系列	HiperFET, X2-Class
封装/外壳	16.24 x 21.45 x 5.3mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	3230 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	64 ns
典型接通延迟时间	37 ns
宽度	21.45mm
长度	16.24mm