参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRLML6302GTRPBF
说明	通用MOSFET   SOT23 SOT-23 Micro3™/SOT-23
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	503 [库存更新时间：2025-04-01]
系列	HEXFET®
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	780mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.7V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	97pF @ 15V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	540mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	600mΩ@610mA,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT23
封装/外壳	SOT-23
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	0.78A
漏源极电压Vds	20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.6nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	97pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
封装/外壳	Micro3™/SOT-23