参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLML2060TRPBF
说明	功率MOSFET   Micro3™/SOT-23
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	190 [库存更新时间：2024-10-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	.67nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	64pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1.25W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.67nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	64pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	480mΩ@1.2A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	1.2A
封装/外壳	Micro3™/SOT-23