| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IRFB4227PBF |
| 说明 | 功率MOSFET TO-220AB |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 412 [库存更新时间：2024-05-27] |
| 系列 | HEXFET® |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4600pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 330W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24mΩ@46A,10V |
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) |
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 65A |
| 漏源极电压Vds | 200V |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
IC普拉斯 元器件现货
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