参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFB4127PBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB 10mm
起订量	1
最小包	1
现货	412 [库存更新时间：2025-04-16]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5380pF @ 50V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5380pF @ 50V
封装/外壳	TO-220AB
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	76A
Rds On(Max)@Id,Vgs	20mΩ@44A,10V
栅极电压Vgs	±20V
Qg-栅极电荷	100nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	375W
高度	15.65mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
正向跨导 - 最小值	79S
下降时间	22ns
上升时间	18ns
典型关闭延迟时间	56ns
典型接通延迟时间	17ns