参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF9530NPBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB 10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	648 [库存更新时间：2025-04-09]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	760pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	58nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	760pF @ 25V
封装/外壳	TO-220AB
连续漏极电流Id	14A
Pd-功率耗散(Max)	79W
Qg-栅极电荷	38.7 nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	200mΩ
漏源极电压Vds	100V
栅极电压Vgs	4V
上升时间	58ns
下降时间	46ns
典型关闭延迟时间	45ns
典型接通延迟时间	15ns
宽度	4.4mm
FET类型	P-Channel
正向跨导 - 最小值	3.2S
通道数量	1 Channel
配置	Single
长度	10mm
高度	15.65mm