参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF9393PBF
说明	通用MOSFET   8-SO SO8 SOIC 5mm 5x4x1.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	648 [库存更新时间：2025-04-15]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	9.2A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V,20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	38nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1110pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	13.3 毫欧 @ 9.2A,20V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SO8
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	7.3 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.0325 0hms
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	SOIC
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
最高工作温度	+150 °C
长度	5mm
最低工作温度	-55 °C
高度	1.50mm
正向跨导	13S
正向二极管电压	1.2V
系列	HEXFET
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1100 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	55 ns
典型接通延迟时间	16 ns
宽度	4mm
每片芯片元件数目	1 Ohms