参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRF9530NPBF |
说明 | 功率MOSFET TO-220AB 10mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 1 |
最小包 | 1000 |
现货 | 1292 [库存更新时间:2025-04-09] |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 58nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 760pF @ 25V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
系列 | HEXFET® |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 58nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 760pF @ 25V |
封装/外壳 | TO-220AB |
连续漏极电流Id | 14A |
Pd-功率耗散(Max) | 79W |
Qg-栅极电荷 | 38.7 nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 200mΩ |
漏源极电压Vds | 100V |
栅极电压Vgs | 4V |
上升时间 | 58ns |
下降时间 | 46ns |
典型关闭延迟时间 | 45ns |
典型接通延迟时间 | 15ns |
宽度 | 4.4mm |
FET类型 | P-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 3.2S |
通道数量 | 1 Channel |
配置 | Single |
长度 | 10mm |
高度 | 15.65mm |